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シリコンウェハへのめっき

シリコンウェハへの直接湿式めっき

シリコンウェハへの銅めっきサンプル
シリコンウェハへの銅めっきサンプル

ドライプロセス不要で、ウェットプロセスのみで金属成膜が可能です。また、通常必要とされるエッチング工程を必要としないため、絶縁層を除去してしまう恐れがありません。ドライプロセスと比較して厚い導体層(30μm以上)を得ることができます。

特長

エッチング不要

通常必要とされるエッチング工程の代わりに密着層を形成するため、粗化による絶縁層除去の心配がありません。

厚膜・均一成膜が可能

ドライプロセスと比べ、厚い膜厚(30μm以上)を形成することが可能です。また、ドライプロセスによるシード層も必要としないため、スルーホール内にも均一にメタライズすることができます。

シリコンウェハのスルホール内へのめっき

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